IRFR4105

更新时间： 2024-11-23 22:51:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=27A)

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IRFR4105 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	其他特性：	AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	65 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	表面贴装：	YES
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR4105 数据手册

PD - 91302C

IRFR/U4105

HEXFET^®Power MOSFET

l Ultra Low On-Resistance

l Surface Mount (IRFR4105)

l Straight Lead (IRFU4105)

l Fast Switching

V_DSS= 55V

R_DS(on)= 0.045Ω

l Fully Avalanche Rated

Description

I_D= 27Aꢀ

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve the

lowest possible on-resistance per silicon area. This

benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET Power

MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient device for use in a wide

variety of applications.

The D-PAK is designed for surface mounting using

vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

The straight lead version (IRFU series) is for through-

hole mounting applications. Power dissipation levels

up to 1.5 watts are possible in typical surface mount

applications.

D-PAK

T O -252AA

I-PAK

TO -251AA

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

27ꢀ

100

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

0.45

± 20

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

6.8

5.0

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

2.2

Units

°C/W

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Ambient (PCB mount) **

Junction-to-Ambient

R_θJA

110

www.irf.com

5/11/98

12 3 4 5 6 7...10

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IRFR4105 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR4105TRLPBF	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR4105TRPBF	INFINEON	功能相似	暂无描述
IRFR4105PBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

与IRFR4105相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR4105PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR4105PBF	KERSEMI	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR4105TR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR4105TR	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFR4105TRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR4105TRL	KERSEMI	获取价格	Advanced Planar Technology
IRFR4105TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR4105TRPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR4105Z	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A)
IRFR4105ZLPBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology

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