5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR4105ZTR
IRFR4105ZTR PDF预览

IRFR4105ZTR

更新时间： 2024-11-24 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 146K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFR4105ZTR 数据手册

 浏览型号IRFR4105ZTR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR4105ZTR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR4105ZTR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR4105ZTR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR4105ZTR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR4105ZTR的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 91302C  
IRFR/U4105  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l Surface Mount (IRFR4105)  
l Straight Lead (IRFU4105)  
l Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.045Ω  
l Fully Avalanche Rated  
G
Description  
ID = 27Aꢀ  
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
lowest possible on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient device for use in a wide  
variety of applications.  
The D-PAK is designed for surface mounting using  
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.  
The straight lead version (IRFU series) is for through-  
hole mounting applications. Power dissipation levels  
up to 1.5 watts are possible in typical surface mount  
applications.  
D-PAK  
T O -252AA  
I-PAK  
TO -251AA  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current ‡  
27ꢀ  
19  
A
100  
68  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.45  
± 20  
65  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚‡  
Avalanche Current‡  
mJ  
A
16  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy‡  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
6.8  
5.0  
mJ  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
2.2  
Units  
°C/W  
1
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount) **  
Junction-to-Ambient  
50  
RθJA  
110  
www.irf.com  
5/11/98  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IRFR4105ZTR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR3711TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR4105ZTRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRFR4105ZTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR4105ZTRL KERSEMI

获取价格

 		AUTOMOTIVE GRADE
IRFR4105ZTRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR410B FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
IRFR420 KERSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
IRFR420 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFR420 INTERSIL

获取价格

 		2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR420 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A)
IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFR4209A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-252AA
IRFR420A INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET

与IRFR4105ZTR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证