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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.9 A | 最大漏源导通电阻： | 10 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR420 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR420 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR420 | INTERSIL |
获取价格 |
2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRFR420 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A) |
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| IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR4209A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-252AA |
|
| IRFR420A | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
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| IRFR420A | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR420A | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR420A, IRFU420A, SiHFR420A, SiHFU420A | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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