5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR4105ZPBF
IRFR4105ZPBF PDF预览

IRFR4105ZPBF

更新时间： 2024-09-21 03:08:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 267K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFR4105ZPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.43
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

IRFR4105ZPBF 数据手册

 浏览型号IRFR4105ZPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR4105ZPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR4105ZPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR4105ZPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR4105ZPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR4105ZPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95374A  
IRFR4105ZPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFU4105ZPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
D
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
VDSS = 55V  
R
DS(on) = 24.5mΩ  
G
ID = 30A  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET®  
Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional  
features of this design are a 175°C junction operating tempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche  
rating . These features combine to make this design an extremely  
efficientandreliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsand  
a wide variety of other applications.  
D-Pak  
IRFR4105Z  
I-Pak  
IRFU4105Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
@ T = 100°C  
C
21  
A
120  
48  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.32  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
29  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
46  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
3.12  
40  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
JC  
JA  
JA  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
12/06/04  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

IRFR4105ZPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR4105ZTRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFR4105ZTRL INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR4105Z INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET

与IRFR4105ZPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR4105ZPBF_15 INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRFR4105ZTR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR4105ZTRL KERSEMI

获取价格

 		AUTOMOTIVE GRADE
IRFR4105ZTRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR410B FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
IRFR420 KERSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
IRFR420 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFR420 INTERSIL

获取价格

 		2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR420 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A)
IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET

与IRFR4105ZPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证