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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR4105ZPBF
IRFR4105ZPBF PDF预览

IRFR4105ZPBF

更新时间： 2024-11-24 03:08:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 267K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRFR4105ZPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.43
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

IRFR4105ZPBF 数据手册

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PD - 95374A  
IRFR4105ZPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFU4105ZPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
D
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
VDSS = 55V  
R
DS(on) = 24.5mΩ  
G
ID = 30A  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET®  
Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional  
features of this design are a 175°C junction operating tempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche  
rating . These features combine to make this design an extremely  
efficientandreliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsand  
a wide variety of other applications.  
D-Pak  
IRFR4105Z  
I-Pak  
IRFU4105Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
@ T = 100°C  
C
21  
A
120  
48  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.32  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
29  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
46  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
3.12  
40  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
JC  
JA  
JA  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
12/06/04  
1234567...11

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IRFR4105ZPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR4105ZTRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFR4105ZTRL INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR4105Z INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET

与IRFR4105ZPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR4105ZPBF_15 INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRFR4105ZTR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR4105ZTRL KERSEMI

获取价格

 		AUTOMOTIVE GRADE
IRFR4105ZTRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR410B FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
IRFR420 KERSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
IRFR420 VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFR420 INTERSIL

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 		2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR420 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A)
IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET

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