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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR4104TRRPBF
IRFR4104TRRPBF PDF预览

IRFR4104TRRPBF

更新时间： 2024-02-16 16:51:26
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 182K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

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IRFR4104TRRPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.1其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：145 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：42 A最大漏极电流 (ID)：42 A
最大漏源导通电阻：0.0055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFR4104TRRPBF 数据手册

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PD - 94728  
IRFR4104  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFU4104  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
●
●
●
●
●
Advanced Process Technology  
VDSS = 40V  
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
RDS(on) = 5.5mΩ  
G
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
ID = 42A  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET®  
Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional  
features of this design are a 175°C junction operating tempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche  
rating . These features combine to make this design an extremely  
efficientandreliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsand  
a wide variety of other applications.  
D-Pak  
IRFR4104  
I-Pak  
IRFU4104  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
119  
84  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
@ T = 100°C  
C
A
(Package Limited)  
@ T = 25°C  
C
42  
480  
140  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.95  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
145  
310  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.05  
40  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
JC  
JA  
JA  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
7/17/03  
1234567...11

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IRFR4104TRRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFR4105PBF KERSEMI

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 		Ultra Low On-Resistance
IRFR4105TR INFINEON

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 		暂无描述
IRFR4105TR UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFR4105TRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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