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IRFR212TR

更新时间: 2024-09-16 06:07:39
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英飞凌 - INFINEON /
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1页 54K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IRFR212TR 数据手册

  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR214 INFINEON

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Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.2A)
IRFR214 KERSEMI

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Power MOSFET
IRFR214 VISHAY

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Power MOSFET
IRFR214 INTERSIL

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2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR214, IRFU214, SiHFR214, SiHFU214 VISHAY

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Power MOSFET
IRFR214_17 VISHAY

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Power MOSFET
IRFR214A ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-252AA
IRFR214ATM FAIRCHILD

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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFR214B FAIRCHILD

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250V N-Channel MOSFET
IRFR214BTM_FP001 FAIRCHILD

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Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal