IRFR214TRR

更新时间： 2024-11-04 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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8页	1743K
描述
Power MOSFET

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IRFR214TRR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.08	雪崩能效等级（Eas）：	190 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.2 A
最大漏极电流 (ID)：	2.2 A	最大漏源导通电阻：	2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8.8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR214TRR 数据手册

IRFR214, IRFU214, SiHFR214, SiHFU214

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

250

Available

• Repetitive Avalanche Rated

RoHS*

• Surface Mount (IRFR9210/SiHFR9210)

COMPLIANT

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

2.0

Q_g(Max.) (nC)

8.2

1.8

• Straight Lead (IRFU9210/SiHFU9210)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

4.5

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR214PbF

SiHFR214-E3

IRFR214

DPAK (TO-252)

IRFR214TRLPbF^a

SiHFR214TL-E3^a

DPAK (TO-252)

IRFR214TRPbF^a

SiHFR214T-E3^a

IRFR214TR^a

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

IRFU214PbF

SiHFU214-E3

IRFU214

Lead (Pb)-free

IRFR214TRR^a

SiHFR214TR^a

SnPb

SiHFR214

SiHFR214T^a

SiHFU214

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

250

V_GS

_C= 25 °C

2.2

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

1.4

Pulsed Drain Current^a

I_DM

8.8

Linear Derating Factor

0.20

0.020

190

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

2.2

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

2.5

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_A= 25 °C

P_D

2.5

dV/dt

T_J, T_stg

4.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

260^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, Starting T_J= 25 °C, L = 62 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.2 A, dI/dt ≤ 65 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1” square PCB (FR-4 or G-10 Material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91269

S-81411-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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IRFR214TRR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR214TRRPBF	VISHAY	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与IRFR214TRR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR214TRRA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR214TRRPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR214TRRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFR21N60L	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFR220	INTERSIL	获取价格	4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR220	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR220	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR220, IRFU220, SiHFR220, SiHFU220	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR220A	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
IRFR220ATF	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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