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IRFR220-T1

更新时间: 2024-11-07 09:57:27
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三星 - SAMSUNG /
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5页 165K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFR220-T1 数据手册

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