5秒后页面跳转
IRFR220-T1 PDF预览

IRFR220-T1

更新时间: 2024-11-05 09:57:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG /
页数 文件大小 规格书
5页 165K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFR220-T1 数据手册

 浏览型号IRFR220-T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR220-T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR220-T1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR220-T1的Datasheet PDF文件第5页 

与IRFR220-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR220TR INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR220TR KERSEMI

获取价格

Power MOSFET
IRFR220TR VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFR220TRL INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR220TRL VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFR220TRL KERSEMI

获取价格

Power MOSFET
IRFR220TRLPBF KERSEMI

获取价格

Power MOSFET
IRFR220TRLPBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFR220TRPBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFR220TRPBF KERSEMI

获取价格

Power MOSFET