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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR220R | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR220-T1 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR220TR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR220TR | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR220TR | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR220TRL | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR220TRL | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR220TRL | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR220TRLPBF | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR220TRLPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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