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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 85 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR222 | ROCHESTER |
获取价格 |
3.8A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
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| IRFR222-T1 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR222TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR224 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.8A) |
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| IRFR224 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR224 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR224A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-252AA |
|
| IRFR224ATF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRFR224ATM | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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