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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 75 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15.2 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR224BTF_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR224BTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IRFR224BTM_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR224BTM_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFR224PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR224PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFR224PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR224TR | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR224TRA | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR224TRL | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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