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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR2307ZPBF
IRFR2307ZPBF PDF预览

IRFR2307ZPBF

更新时间： 2024-11-04 03:56:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 366K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRFR2307ZPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：7.43
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：53 A最大漏极电流 (ID)：42 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：210 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR2307ZPBF 数据手册

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PD - 95953  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFR2307ZPbF  
IRFU2307ZPbF  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
l
Advanced Process Technology  
l
l
l
l
l
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
D
VDSS = 75V  
RDS(on) = 16mΩ  
G
Description  
ID = 42A  
Specifically designed for Automotive applications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. Additional features  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating . These features com-  
bine to make this design an extremely efficient and  
reliable device for use in Automotive applications  
and a wide variety of other applications.  
S
D-Pak  
I-Pak  
IRFU2307Z  
IRFR2307Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
53  
D
D
D
C
@ T = 100°C  
38  
42  
A
C
@ T = 25°C  
C
210  
110  
DM  
P
@T = 25°C Power Dissipation  
W
D
C
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.70  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
100  
140  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
E
AS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
EAR  
mJ  
T
T
-55 to + 175  
J
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.42  
40  
Units  
Junction-to-Case  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
–––  
°C/W  
–––  
110  
HEXFET® isaregisteredtrademarkofInternationalRectifier.  
www.irf.com  
1
12/20/04  
1234567...12

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IRFR2307ZPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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