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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR2307Z
IRFR2307Z PDF预览

IRFR2307Z

更新时间： 2024-02-14 09:27:29
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
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11页 301K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRFR2307Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.1
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：53 A
最大漏极电流 (ID)：42 A最大漏源导通电阻：0.016 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：210 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR2307Z 数据手册

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PD - 96910  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFR2307Z  
IRFU2307Z  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
lAdvanced Process Technology  
lUltra Low On-Resistance  
l175°C Operating Temperature  
lFast Switching  
D
VDSS = 75V  
lRepetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
RDS(on) = 16mΩ  
G
Description  
ID = 42A  
Specifically designed for Automotive applications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. Additional features  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating . These features com-  
bine to make this design an extremely efficient and  
reliable device for use in Automotive applications  
and a wide variety of other applications.  
S
D-Pak  
I-Pak  
IRFU2307Z  
IRFR2307Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
53  
D
D
D
C
@ T = 100°C  
38  
42  
A
C
@ T = 25°C  
C
210  
110  
DM  
P
@T = 25°C Power Dissipation  
W
D
C
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.70  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
100  
140  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
E
AS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
EAR  
mJ  
T
T
-55 to + 175  
J
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.42  
40  
Units  
Junction-to-Case  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
–––  
°C/W  
–––  
110  
HEXFET® isaregisteredtrademarkofInternationalRectifier.  
www.irf.com  
1
10/20/04  
1234567...11

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IRFR2307Z 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRFR2307Z INFINEON

完全替代

 HEXFET® Power MOSFET
IRFR2307ZTRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR2307ZPBF INFINEON

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