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IRFR234

更新时间: 2024-10-01 20:18:23
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 156K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

IRFR234 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):191 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):6.6 A最大漏极电流 (ID):6.6 A
最大漏源导通电阻:0.45 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):49 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):26 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFR234 数据手册

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