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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 191 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 49 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 26 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR234A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 6.6A I(D) | TO-252AA |
|
| IRFR234B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRFR234BTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFR234BTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IRFR234BTM_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR2405 | KERSEMI |
获取价格 |
Surface Mount (IRFR2405) |
|
| IRFR2405 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=5 |
|
| IRFR2405 | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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| IRFR2405LPBF | INFINEON |
获取价格 |
Surface Mount (IRFR2405) |
|
| IRFR2405PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Surface Mount (IRFR2405) Straight Lead (IRFU2405) Advanced Process Technology |
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