5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFR2407TRPBF
IRFR2407TRPBF PDF预览

IRFR2407TRPBF

更新时间： 2024-11-26 12:04:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 140K
描述
Advanced Process Technology

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFR2407TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.66Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：130 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：42 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：170 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR2407TRPBF 数据手册

 浏览型号IRFR2407TRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR2407TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR2407TRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR2407TRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR2407TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR2407TRPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD -93862  
IRFR2407  
IRFU2407  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount (IRFR2407)  
l Straight Lead (IRFU2407)  
l Advanced Process Technology  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
D
VDSS = 75V  
RDS(on) = 0.026Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
Description  
ID = 42A†  
Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET power MOSFETs are well known for, provides  
the designer with an extremely efficient and reliable  
device for use in a wide variety of applications.  
S
The D-Pak is designed for surface mounting using  
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.  
The straight lead version (IRFU series) is for through-  
hole mounting applications. Power dissipation levels  
up to 1.5 watts are possible in typical surface mount  
applications.  
D-Pak  
IRFR2407  
I-Pak  
IRFU2407  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
42†  
29†  
170  
110  
0.71  
± 20  
130  
25  
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
11  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.4  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)*  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
*
When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994  
www.irf.com  
1
3/1/00  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

IRFR2407TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRFR2407 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR2407PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢Power MOSFET

与IRFR2407TRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR2407TRR KERSEMI

获取价格

 		Surface Mount (IRFR2407)
IRFR24N15D FREESCALE

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
IRFR24N15D INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRFR24N15DPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢Power MOSFET
IRFR24N15DPBF KERSEMI

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRFR24N15DTR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR24N15DTRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR24N15DTRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR24N15DTRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR2605 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=19A)

与IRFR2407TRPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证