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IRFR2405

更新时间： 2024-02-02 07:21:46

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科盛美 - KERSEMI		晶体晶体管开关脉冲局域网
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8页	1613K
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Surface Mount (IRFR2405)

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IRFR2405 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.12
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	56 A	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.016 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR2405 数据手册

IRFR/U2405

^lSurface Mount (IRFR2405)

^lStraight Lead (IRFU2405)

^lAdvanced Process Technology

^lDynamic dv/dt Rating

^lFast Switching

V_DSS= 55V

R_DS(on)= 0.016Ω

^lFully Avalanche Rated

Description

I_D= 56A

Seventh Generation HEXFET^®Power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniques to achieve extremely low on-resistance per

silicon area. This benefit, combined with the fast

switching speed and ruggedized device design that

HEXFET power MOSFETs are well known for, provides

the designer with an extremely efficient and reliable

device for use in a wide variety of applications.

The D-Pak is designed for surface mounting using

vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

The straight lead version (IRFU series) is for through-

hole mounting applications. Power dissipation levels

up to 1.5 watts are possible in typical surface mount

applications.

D-Pak

IRFR2405

I-Pak

IRFU2405

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

220

110

0.71

± 20

130

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

V/ns

5.0

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

1.4

Units

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Ambient (PCB mount)*

Junction-to-Ambient

°C/W

110

www.kersemi.com

1 / 10

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR2405LPBF	INFINEON	获取价格	Surface Mount (IRFR2405)
IRFR2405PBF	KERSEMI	获取价格	Surface Mount (IRFR2405) Straight Lead (IRFU2405) Advanced Process Technology
IRFR2405PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR2405TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR2405TR	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFR2405TRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR2405TRPBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRFR2405TRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR2405TRRPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR2407	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET

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