IRFR2607Z

更新时间： 2024-11-25 23:16:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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AUTOMOTIVE MOSFET

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IRFR2607Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	96 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.022 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR2607Z 数据手册

PD - 96892

IRFR2607Z

IRFU2607Z

AUTOMOTIVE MOSFET

Features

HEXFET^®Power MOSFET

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Fast Switching

V_DSS= 75V

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

R_DS(on)= 22mΩ

Description

I_D= 42A

Specifically designed for Automotive applications,

this HEXFET^®Power MOSFET utilizes the latest

processingtechniquestoachieveextremelylowon-

resistance per silicon area. Additional features of

thisdesign area175°Cjunctionoperatingtempera-

ture, fast switching speed and improved repetitive

avalanche rating . These features combine to make

thisdesignanextremelyefficientandreliabledevice

foruseinAutomotiveapplicationsandawidevariety

of other applications.

D-Pak

I-Pak

IRFU2607Z

IRFR2607Z

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package Limited)

Pulsed Drain Current

@ T = 25°C

@ T = 100°C

@ T = 25°C

180

110

@T = 25°C Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

0.72

± 20

W/°C

E_{AS (Thermally limited)}

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

E_AS(Tested )

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

Repetitive Avalanche Energy

Operating Junction and

E_AR

-55 to + 175

Storage Temperature Range

°C

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case )

10 lbf in (1.1N m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.38

Units

Junction-to-Case

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Ambient (PCB mount)

Junction-to-Ambient

°C/W

110

www.irf.com

9/21/04

12 3 4 5 6 7...11

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IRFR2607Z 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AUIRFR2607Z	INFINEON	类似代替	HEXFETÂ® Power MOSFET
IRFR2607ZPBF	INFINEON	功能相似	AUTOMOTIVE MOSFET
STD45NF75T4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 75V - 0.018 OHM -40A DPAK STripFETTMII POWER MOSFET

与IRFR2607Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR2607ZPBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR2607ZPBF	KERSEMI	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR2607ZPBF_15	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRFR2607ZTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR2607ZTRPBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRFR2607ZTRR	KERSEMI	获取价格	Advanced Process Technology
IRFR2905	KERSEMI	获取价格	Advanced Process Technology
IRFR2905	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR2905Z	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR2905ZPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =

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