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IRFR2605TR

更新时间： 2024-11-26 21:18:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 167K
描述
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3

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IRFR2605TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：DPAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.78
其他特性：ESD PROTECTED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE, FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：19 A
最大漏源导通电阻：0.085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFR2605TR 数据手册

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PD - 9.1253  
IRFR2605  
IRFU2605  
HEXFET® Power MOSFET  
Ultra Low On-Resistance  
ESD Protected  
D
Surface Mount (IRFR2605)  
Straight Lead (IRFU2605)  
150°C Operating Temperature  
Repetitive Avalanche Rated  
Fast Switching  
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.075Ω  
ID = 19A  
G
Description  
S
Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced  
processing techniques that achieve extremely low on-resistance per silicon area  
and allow electrostatic discharge protection to be integrated in the gate structure.  
These benefits, combined with the ruggedized device design that HEXFETs are  
known for, provide the designer with extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
D-PAK  
TO-252AA  
I-PAK  
TO-251AA  
The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave  
soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through-hole  
mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in  
typical surface mount applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
19  
12  
A
76  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
50  
W
Power Dissipation (PCB Mount)**  
Linear Derating Factor  
3.1  
0.40  
0.025  
±20  
100  
12  
W/°C  
Linear Derating Factor (PCB Mount)**  
Gate-to-Source Voltage  
VGS  
V
mJ  
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
IAR  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
5.0  
4.5  
mJ  
V/ns  
dv/dt  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Human Body Model, 100pF, 1.5KΩ  
-55 to + 150  
300 (1.6mm from case)  
2000  
°C  
V
VESD  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Min.  
—
Typ.  
—
Max.  
2.5  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)**  
Junction-to-Ambient  
—
—
40  
°C/W  
—
—
62  
** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.  
1234567...9

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