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IRFR2405TRPBF

更新时间： 2024-11-28 12:04:59
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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11页 226K
描述
Advanced Process Technology

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IRFR2405TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.67Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：130 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：56 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.016 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR2405TRPBF 数据手册

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PD - 95369A  
IRFR2405PbF  
IRFU2405PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount (IRFR2405)  
l Straight Lead (IRFU2405)  
l Advanced Process Technology  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
RDS(on) = 0.016Ω  
G
Description  
ID = 56A†  
Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET power MOSFETs are well known for, provides  
the designer with an extremely efficient and reliable  
device for use in a wide variety of applications.  
S
The D-Pak is designed for surface mounting using  
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.  
The straight lead version (IRFU series) is for through-  
hole mounting applications. Power dissipation levels  
up to 1.5 watts are possible in typical surface mount  
applications.  
D-Pak  
IRFR2405  
I-Pak  
IRFU2405  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
56†  
40†  
220  
110  
0.71  
± 20  
130  
34  
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
11  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.4  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)*  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
*
When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994  
www.irf.com  
1
12/03/04  
1234567...11

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IRFR2405TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR2405PBF INFINEON

完全替代

 HEXFET Power MOSFET
AUIRFR2405 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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IRFR2405TRRPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRFR2407 KERSEMI

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 		Power MOSFET
IRFR2407 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.026ohm, Id=4
IRFR2407PBF KERSEMI

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 		ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
IRFR2407PBF INFINEON

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 		HEXFET㈢Power MOSFET
IRFR2407TR ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-252AA
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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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