5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFR2307ZTRLPBF
IRFR2307ZTRLPBF PDF预览

IRFR2307ZTRLPBF

更新时间： 2024-11-04 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 355K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFR2307ZTRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.61其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：53 A最大漏极电流 (ID)：42 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：210 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFR2307ZTRLPBF 数据手册

 浏览型号IRFR2307ZTRLPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR2307ZTRLPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR2307ZTRLPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR2307ZTRLPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR2307ZTRLPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR2307ZTRLPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 96191B  
IRFR2307ZPbF  
IRFU2307ZPbF  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
D
VDSS = 75V  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
RDS(on) = 16mΩ  
G
Description  
ID = 42A  
ThisHEXFET® PowerMOSFETutilizesthelatest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fastswitchingspeedandimproved  
repetitive avalanche rating.These features  
combinetomakethisdesignanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
S
D-Pak  
I-Pak  
IRFR2307ZPbF IRFU2307ZPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
53  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
38  
A
@ T = 100°C  
C
(Package Limited)  
42  
@ T = 25°C  
C
210  
DM  
110  
P
@T = 25°C Power Dissipation  
W
W/°C  
V
D
C
0.70  
Linear Derating Factor  
± 20  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
GS  
EAS (Thermally limited)  
AS (Tested )  
100  
140  
mJ  
E
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
mJ  
-55 to + 175  
T
T
J
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
STG  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.42  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
HEXFET® isaregisteredtrademarkofInternationalRectifier.  
www.irf.com  
1
09/16/10  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

IRFR2307ZTRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRFR2307Z INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET
IRFR2307ZPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFR2307Z INFINEON

类似代替

 AUTOMOTIVE MOSFET

与IRFR2307ZTRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR2307ZTRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR2307ZTRR KERSEMI

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRFR2307ZTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR230A FAIRCHILD

获取价格

 		Advanced Power MOSFET
IRFR230B FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET
IRFR230BTF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFR230BTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFR234 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR234A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 6.6A I(D) | TO-252AA
IRFR234B FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET

与IRFR2307ZTRLPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证