是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.84 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.8 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 42 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFR224PBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFR224PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFR224PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFR224TR | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFR224TRA | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFR224TRL | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFR224TRL | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFR224TRLA | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFR224TRLPBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFR224TRLPBFA | KERSEMI |
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Power MOSFET |