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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.36 | 雪崩能效等级（Eas）： | 85 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR222-T1 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR222TR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR224 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.8A) |
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| IRFR224 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
|
| IRFR224 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR224A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-252AA |
|
| IRFR224ATF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFR224ATM | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFR224B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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