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IRFR220TRRPBF

更新时间： 2024-11-25 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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IRFR220TRRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	230 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.8 A
最大漏极电流 (ID)：	4.8 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	19 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR220TRRPBF 数据手册

IRFR220, IRFU220, SiHFR220, SiHFU220

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

200

Available

• Repetitive Avalanche Rated

RoHS*

• Surface Mount (IRFR220/SiHFR220)

COMPLIANT

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.80

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

3.0

7.9

• Straight Lead (IRFU220/SiHFU220)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surcace mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR220PbF

SiHFR220-E3

IRFR220

DPAK (TO-252)

IRFR220TRPbF^a

SiHFR220T-E3^a

IRFR220TR^a

DPAK (TO-252)

IRFR220TRRPbF^a

SiHFR220TR-E3^a

IRFR220TRR^a

IPAK (TO-251)

IRFU220PbF

SiHFU220-E3

IRFU220

IRFR220TRLPbF^a

SiHFR220TL-E3^a

IRFR220TRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR220

SiHFR220TL^a

SiHFR220T^a

SiHFR220TR^a

SiHFU220

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

200

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

4.8

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

3.0

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

230

4.8

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

b. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

c. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 14 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.8 A (see fig. 12).

d. I_SD≤ 5.2 A, dI/dt ≤ 95 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

e. 1.6 mm from case.

f. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91270

S-81359-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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与IRFR220TRRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR221	ROCHESTER	获取价格	4.6A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
IRFR222	ROCHESTER	获取价格	3.8A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
IRFR222-T1	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR222TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR224	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.8A)
IRFR224	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR224	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR224A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 3.8A I(D) \| TO-252AA
IRFR224ATF	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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