IRFR220TRR

更新时间： 2024-11-04 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	1447K
描述
Power MOSFET

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IRFR220TRR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.8 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

IRFR220TRR 数据手册

IRFR220, IRFU220, SiHFR220, SiHFU220

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

200

Available

• Repetitive Avalanche Rated

RoHS*

• Surface Mount (IRFR220/SiHFR220)

COMPLIANT

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.80

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

3.0

7.9

• Straight Lead (IRFU220/SiHFU220)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surcace mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR220PbF

SiHFR220-E3

IRFR220

DPAK (TO-252)

IRFR220TRPbF^a

SiHFR220T-E3^a

IRFR220TR^a

DPAK (TO-252)

IRFR220TRRPbF^a

SiHFR220TR-E3^a

IRFR220TRR^a

IPAK (TO-251)

IRFU220PbF

SiHFU220-E3

IRFU220

IRFR220TRLPbF^a

SiHFR220TL-E3^a

IRFR220TRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR220

SiHFR220TL^a

SiHFR220T^a

SiHFR220TR^a

SiHFU220

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

200

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

4.8

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

3.0

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

230

4.8

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

b. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

c. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 14 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.8 A (see fig. 12).

d. I_SD≤ 5.2 A, dI/dt ≤ 95 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

e. 1.6 mm from case.

f. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91270

S-81359-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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IRFR220TRR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR220TRPBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
IRFR220PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
IRFR220TRLPBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与IRFR220TRR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR220TRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR220TRRPBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR221	ROCHESTER	获取价格	4.6A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
IRFR222	ROCHESTER	获取价格	3.8A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
IRFR222-T1	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR222TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR224	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.8A)
IRFR224	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR224	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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