是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-252 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 6.86 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 230 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (ID): | 4.8 A | 最大漏源导通电阻: | 0.8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 19 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFR210PBF | VISHAY |
类似代替 |
Power MOSFET | |
IRFR220NPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFR220R | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFR220-T1 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFR220TR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFR220TR | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR220TR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR220TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFR220TRL | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFR220TRL | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFR220TRLPBF | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFR220TRLPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |