是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 0.56 |
Samacsys Confidence: | 4 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 298343 | Samacsys Pin Count: | 3 |
Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category: | Other |
Samacsys Footprint Name: | IRFR210PBF-1 | Samacsys Released Date: | 2019-12-23 20:27:06 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 130 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 2.6 A |
最大漏源导通电阻: | 1.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Powers |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFR210PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFR210TR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR210TRA | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR210TRL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR210TRLA | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR210TRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR210TRLPBFA | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR210TRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR210TRPBFA | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR210TRR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFR210TRRA | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |