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IRFR210TRRPBF

更新时间: 2024-11-04 21:12:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 1298K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

IRFR210TRRPBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-252AA
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.06其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):130 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.6 A最大漏极电流 (ID):2.6 A
最大漏源导通电阻:1.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252AAJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):10 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFR210TRRPBF 数据手册

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PD - 95068A  
IRFR210PbF  
IRFU210PbF  
Lead-Free  
12/9/04  
Document Number: 91268  
www.vishay.com  
1

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