IRFR214TR

更新时间： 2024-09-15 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
8页	1743K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFR214TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.2 A
最大漏极电流 (ID)：	2.2 A	最大漏源导通电阻：	2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR214TR 数据手册

IRFR214, IRFU214, SiHFR214, SiHFU214

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

250

Available

• Repetitive Avalanche Rated

RoHS*

• Surface Mount (IRFR9210/SiHFR9210)

COMPLIANT

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

2.0

Q_g(Max.) (nC)

8.2

1.8

• Straight Lead (IRFU9210/SiHFU9210)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

4.5

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR214PbF

SiHFR214-E3

IRFR214

DPAK (TO-252)

IRFR214TRLPbF^a

SiHFR214TL-E3^a

DPAK (TO-252)

IRFR214TRPbF^a

SiHFR214T-E3^a

IRFR214TR^a

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

IRFU214PbF

SiHFU214-E3

IRFU214

Lead (Pb)-free

IRFR214TRR^a

SiHFR214TR^a

SnPb

SiHFR214

SiHFR214T^a

SiHFU214

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

250

V_GS

_C= 25 °C

2.2

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

1.4

Pulsed Drain Current^a

I_DM

8.8

Linear Derating Factor

0.20

0.020

190

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

2.2

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

2.5

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_A= 25 °C

P_D

2.5

dV/dt

T_J, T_stg

4.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

260^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, Starting T_J= 25 °C, L = 62 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.2 A, dI/dt ≤ 65 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1” square PCB (FR-4 or G-10 Material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91269

S-81411-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFR214TR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR214TRLPBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
IRFR214PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与IRFR214TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR214TRA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR214TRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFR214TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR214TRLPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR214TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR214TRPbFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR214TRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR214TRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFR214TRRA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR214TRRPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述

与IRFR214TR相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

3
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

3
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

83
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

75

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFR214TR

IRFR214TR 技术参数

IRFR214TR 数据手册

IRFR214TR 替代型号

与IRFR214TR相关器件

与IRFR214TR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFR214TR

IRFR214TR 技术参数

IRFR214TR 数据手册

IRFR214TR 替代型号

与IRFR214TR相关器件

与IRFR214TR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？