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IRFR214TRPBF

更新时间： 2024-11-04 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	1743K
描述
Power MOSFET

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IRFR214TRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	190 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.2 A	最大漏极电流 (ID)：	2.2 A
最大漏源导通电阻：	2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8.8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR214TRPBF 数据手册

IRFR214, IRFU214, SiHFR214, SiHFU214

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

250

Available

• Repetitive Avalanche Rated

RoHS*

• Surface Mount (IRFR9210/SiHFR9210)

COMPLIANT

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

2.0

Q_g(Max.) (nC)

8.2

1.8

• Straight Lead (IRFU9210/SiHFU9210)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

4.5

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR214PbF

SiHFR214-E3

IRFR214

DPAK (TO-252)

IRFR214TRLPbF^a

SiHFR214TL-E3^a

DPAK (TO-252)

IRFR214TRPbF^a

SiHFR214T-E3^a

IRFR214TR^a

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

IRFU214PbF

SiHFU214-E3

IRFU214

Lead (Pb)-free

IRFR214TRR^a

SiHFR214TR^a

SnPb

SiHFR214

SiHFR214T^a

SiHFU214

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

250

V_GS

_C= 25 °C

2.2

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

1.4

Pulsed Drain Current^a

I_DM

8.8

Linear Derating Factor

0.20

0.020

190

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

2.2

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

2.5

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_A= 25 °C

P_D

2.5

dV/dt

T_J, T_stg

4.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

260^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, Starting T_J= 25 °C, L = 62 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.2 A, dI/dt ≤ 65 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1” square PCB (FR-4 or G-10 Material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91269

S-81411-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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IRFR214TRPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FQD4N25TM_WS	FAIRCHILD	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IRFR214TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR214TRPbFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR214TRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR214TRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFR214TRRA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR214TRRPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR214TRRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFR21N60L	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFR220	INTERSIL	获取价格	4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR220	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR220	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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