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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-2/3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 5.07 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 46 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 43 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFR220NTRPBF | INFINEON |
类似代替  |
HEXFETPower MOSFET |
|
| IRFR220NTRLPBF | INFINEON |
类似代替 |
High frequency DC-DC converters |
|
| IRFR220NPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR220PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR220PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFEP Power MOSFET |
|
| IRFR220PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR220R | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR220-T1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR220TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR220TR | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR220TR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR220TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR220TRL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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