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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR212 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.1A I(D) | TO-252AA |
|
| IRFR212PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR212TR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR214 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.2A) |
|
| IRFR214 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR214 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR214 | INTERSIL |
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2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRFR214, IRFU214, SiHFR214, SiHFU214 | VISHAY |
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Power MOSFET |
|
| IRFR214_17 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR214A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-252AA |
|
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