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IRFR211

更新时间: 2024-11-04 20:12:19
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三星 - SAMSUNG 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 32K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

IRFR211 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.7 A最大漏极电流 (ID):2.7 A
最大漏源导通电阻:1.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):25 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFR211 数据手册

  

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