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IRFR120N

更新时间： 2024-11-20 22:51:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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10页 154K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFR120N 数据手册

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PD - 91365B  
IRFR/U120N  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount (IRFR120N)  
l Straight Lead (IRFU120N)  
l Advanced Process Technology  
l Fast Switching  
D
VDSS = 100V  
RDS(on) = 0.21Ω  
l Fully Avalanche Rated  
G
Description  
ID = 9.4A  
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
lowest possible on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient device for use in a wide  
variety of applications.  
The D-PAK is designed for surface mounting using  
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.  
The straight lead version (IRFU series) is for through-  
hole mounting applications. Power dissipation levels  
up to 1.5 watts are possible in typical surface mount  
applications.  
D-PAK  
T O -252AA  
I-PAK  
TO -251AA  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current †  
9.4  
6.6  
38  
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
48  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.32  
± 20  
91  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚†  
Avalanche Current†  
mJ  
A
5.7  
4.8  
5.0  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy†  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
3.1  
Units  
°C/W  
1
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount) **  
Junction-to-Ambient  
50  
RθJA  
110  
www.irf.com  
5/11/98  
1234567...10

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IRFR120N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR120NTRLPBF INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120NTRPBF INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120NPBF INFINEON

功能相似

 Fast Switching

与IRFR120N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR120NCLPBF INFINEON

获取价格

 		Surface Mount (IRFR120N)
IRFR120NPBF KERSEMI

获取价格

 		Surface Mount (IRFR120N) Straight Lead (IRFU120N)
IRFR120NPBF INFINEON

获取价格

 		Fast Switching
IRFR120NPBF_15 INFINEON

获取价格

 		ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
IRFR120NTR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120NTR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRFR120NTRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120NTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120NTRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120NTRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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