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IRFR120TRL

更新时间： 2024-02-27 00:08:07

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科盛美 - KERSEMI		晶体晶体管开关脉冲
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Dynamic dV/dt Rating

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IRFR120TRL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	18 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.7 A	最大漏极电流 (ID)：	8.7 A
最大漏源导通电阻：	0.19 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR120TRL 数据手册

IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

• Repetitive Avalanche Rated

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.0

RoHS*

COMPLIANT

• Surface Mount (IRFR420/SiHFR420)

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

3.3

• Straight Lead (IRFU420/SiHFU420)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

Q_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effictiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surcace mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR120TRLPbF^a

SiHFR120TL-E3^a

IRFR120TRL^a

IPAK (TO-251)

IRFU420PbF

SiHFU420-E3

IRFU420

IRFR420PbF

SiHFR420-E3

IRFR420

IRFR420TRPbF^a

SiHFR420T-E3^a

IRFR420TR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR420

SiHFR420T^a

SiHFR120TL^a

SiHFU420

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

2.4

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

1.5

Pulsed Drain Current^a

I_DM

8.0

Linear Derating Factor

0.33

0.020

400

2.4

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

I_AR

E_AR

4.2

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

P_D

2.5

dV/dt

3.5

V/ns

www.kersemi.com

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR120TRLPBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR120TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR120TRPBF	VISHAY	获取价格	IRFR120
IRFR120TRR	VISHAY	获取价格	IRFR120
IRFR120TRRPBF	VISHAY	获取价格	IRFR120
IRFR120TRRPBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR120Z	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR120ZPBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR120ZTR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120ZTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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