Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR120TRRPBF

IRFR120TRRPBF

更新时间： 2024-11-21 05:39:31

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威世 - VISHAY		/
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IRFR120

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IRFR120TRRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.19
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	7.7 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	31 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR120TRRPBF 数据手册

IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

0.27

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

RoHS*

• Surface Mount (IRFR120/SiHFR120)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

4.4

7.7

• Straight Lead (IRFU120/SiHFU120)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

N-Channel MOSFET

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR120PbF

SiHFR120-E3

IRFR120

DPAK (TO-252)

IRFR120TRPbF^a

SiHFR120T-E3^a

IRFR120TR^a

DPAK (TO-252)

IRFR120TRRPbF^a

SiHFR120TR-E3^a

IRFR120TRR^a

DPAK (TO-252)

IRFR120TRLPbF^a

SiHFR120TL-E3^a

IRFR120TRL^a

IPAK (TO-251)

IRFU120PbF

SiHFU120-E3

IRFU120

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR120

SiHFR120T^a

SiHFR120TR^a

SiHFR120TL^a

SiHFU120

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

7.7

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

4.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

210

7.7

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

I_AR

E_AR

4.2

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

P_D

2.5

dV/dt

5.5

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91266

S-Pending-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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IRFR120TRRPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STD6NF10T4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low

与IRFR120TRRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR120Z	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR120ZPBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR120ZTR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120ZTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120ZTRLPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR120ZTRPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR120ZTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120ZTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR121	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 8.4A I(D) \| TO-252
IRFR121-T1	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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