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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.37 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 30 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 42 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 34 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 59 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 58 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR12N25D | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
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| IRFR12N25DHR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFR12N25DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)ma |
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| IRFR12N25DPBF | KERSEMI |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
|
| IRFR12N25DTR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR12N25DTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR12N25DTRLP | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
| IRFR12N25DTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR12N25DTRR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFR12N25DTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
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