5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.3 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.26 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 144 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR12N25DTRLP | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
| IRFR12N25DTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR12N25DTRR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFR12N25DTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFR130 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFR130A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFR130ATM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR13N15D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A) |
|
| IRFR13N15D | KERSEMI |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
|
| IRFR13N15D | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
