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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 225 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.11 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 41 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR130A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFR130ATM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR13N15D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A) |
|
| IRFR13N15D | KERSEMI |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
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| IRFR13N15D | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRFR13N15DPBF | KERSEMI |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
|
| IRFR13N15DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFR13N15DPBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
High frequency DC-DC converters |
|
| IRFR13N15DTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
High frequency DC-DC converters |
|
| IRFR13N20 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) |
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