是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | DPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.81 |
雪崩能效等级(Eas): | 225 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 13 A | 最大漏极电流 (ID): | 13 A |
最大漏源导通电阻: | 0.11 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 41 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 52 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFR13N15D | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A) | |
IRFR13N15D | KERSEMI |
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SMPS MOSFET | |
IRFR13N15D | FREESCALE |
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HEXFET® Power MOSFET | |
IRFR13N15DPBF | KERSEMI |
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SMPS MOSFET | |
IRFR13N15DPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFR13N15DPBF_15 | INFINEON |
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High frequency DC-DC converters | |
IRFR13N15DTRPBF | INFINEON |
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High frequency DC-DC converters | |
IRFR13N20 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) | |
IRFR13N20D | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) | |
IRFR13N20D | KERSEMI |
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SMPS MOSFET |