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IRFR18N15DTRHR

更新时间： 2024-09-17 13:00:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关
页数	文件大小	规格书
10页	128K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3/2

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IRFR18N15DTRHR 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR18N15DTRHR 数据手册

PD- 93815A

IRFR18N15D

IRFU18N15D

SMPS MOSFET

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High frequency DC-DC converters

V_DSS

150V

R_DS(on)max

I_D

18A

0.125Ω

Benefits

l Low Gate to Drain Charge to Reduce

Switching Losses

l Fully Characterized Capacitance Including

Effective C_OSSto Simplify Design, (See

App. Note AN1001)

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D-Pak

IRFR18N15D

I-Pak

IRFU18N15D

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

110

W/°C

Linear Derating Factor

0.71

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

3.3

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Typical SMPS Topologies

l Telecom 48V input DC-DC Active Clamp Reset Forward Converter

Notes through are on page 10

www.irf.com

2/23/00

12 3 4 5 6 7...10

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与IRFR18N15DTRHR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR18N15DTRL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-252AA
IRFR18N15DTRLP	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR18N15DTRLPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR18N15DTRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR18N15DTRR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-252AA
IRFR18N15DTRRP	INFINEON	获取价格	Transistor,
IRFR1N60A	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR1N60A	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFR1N60A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET