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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Lifetime Buy |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.26 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR12N25DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)ma |
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| IRFR12N25DPBF | KERSEMI |
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SMPS MOSFET |
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| IRFR12N25DTR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR12N25DTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR12N25DTRLP | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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| IRFR12N25DTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR12N25DTRR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFR12N25DTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFR130 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRFR130A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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