IRFR120ZTRPBF

更新时间： 2024-09-30 13:08:47

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IRFR120ZTRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.61
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	18 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.7 A
最大漏极电流 (ID)：	8.7 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AUIRFR120ZTRL	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFR120Z	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120ZPBF	INFINEON	类似代替	AUTOMOTIVE MOSFET

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR120ZTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120ZTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR121	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 8.4A I(D) \| TO-252
IRFR121-T1	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR12N25D	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFR12N25DHR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR12N25DPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)ma
IRFR12N25DPBF	KERSEMI	获取价格	SMPS MOSFET
IRFR12N25DTR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR12N25DTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met