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IRFR120ZTRL

更新时间： 2024-01-30 13:02:10

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	204K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

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IRFR120ZTRL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	18 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	8.7 A
最大漏源导通电阻：	0.19 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR120ZTRL 数据手册

PD - 94754

IRFR120Z

AUTOMOTIVE MOSFET

IRFU120Z

HEXFET^®Power MOSFET

Features

●

Advanced Process Technology

V_DSS= 100V

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Fast Switching

R_DS(on)= 190mΩ

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

I_D= 8.7A

Description

Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET^®

Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to

achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional

features of this design are a 175°C junction operating tempera-

ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche

rating . These features combine to make this design an extremely

efficientandreliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsand

a wide variety of other applications.

D-Pak

IRFR120Z

I-Pak

IRFU120Z

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

8.7

6.1

Units

(Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T = 25°C

@ T = 100°C

@T = 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

0.23

± 20

W/°C

E_{AS (Thermally limited)}

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

E_AS(Tested )

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

Operating Junction and

-55 to + 175

Storage Temperature Range

°C

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case )

10 lbf in (1.1N m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

4.28

Units

R_θ

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient (PCB mount)

°C/W

Junction-to-Ambient

110

HEXFET^®is a registered trademark of International Rectifier.

www.irf.com

10/3/03

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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