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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR120NPBF_15 | INFINEON |
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ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY |
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| IRFR120NTR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFR120NTR | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRFR120NTRL | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFR120NTRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFR120NTRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFR120NTRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFR120NTRRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFR120PBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = |
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| IRFR120PBF | VISHAY |
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IRFR120 |
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