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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 6.98 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 31 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD6NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR120TRPBF | VISHAY |
获取价格 |
IRFR120 |
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| IRFR120TRR | VISHAY |
获取价格 |
IRFR120 |
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| IRFR120TRRPBF | VISHAY |
获取价格 |
IRFR120 |
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| IRFR120TRRPBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR120Z | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
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| IRFR120ZPBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRFR120ZTR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR120ZTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFR120ZTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFR120ZTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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