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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-2/3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.08 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 91 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.21 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 48 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 38 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFR120NTRLPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR120NTRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR120NPBF | INFINEON |
类似代替 |
Fast Switching |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR120PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = |
|
| IRFR120PBF | VISHAY |
获取价格 |
IRFR120 |
|
| IRFR120T_R4941 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR120-T1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR120TR | VISHAY |
获取价格 |
IRFR120 |
|
| IRFR120TR | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
|
| IRFR120TRL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR120TRL | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |
|
| IRFR120TRLPBF | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |
|
| IRFR120TRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
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