IRFR120PBF

更新时间： 2024-02-24 17:13:47

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
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10页	2121K
描述
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.27ヘ , ID = 7.7A )

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IRFR120PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	18 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.7 A	最大漏极电流 (ID)：	8.7 A
最大漏源导通电阻：	0.19 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PD-95523A

IRFR120PbF

IRFU120PbF

Lead-Free

www.irf.com

12/03/04

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR120T_R4941	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120-T1	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120TR	VISHAY	获取价格	IRFR120
IRFR120TR	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IRFR120TRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR120TRL	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR120TRLPBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR120TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR120TRPBF	VISHAY	获取价格	IRFR120
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