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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-2/3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 6.84 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 91 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.21 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 38 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFR120NTRRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR120NTRLPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR120NTRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR120NPBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY |
|
| IRFR120NTR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFR120NTR | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRFR120NTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR120NTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR120NTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR120NTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR120NTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFR120PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = |
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| IRFR120PBF | VISHAY |
获取价格 |
IRFR120 |
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