IRFR120TR

更新时间： 2024-11-21 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	1702K
描述
IRFR120

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IRFR120TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.24
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

IRFR120TR 数据手册

IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

0.27

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

RoHS*

• Surface Mount (IRFR120/SiHFR120)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

4.4

7.7

• Straight Lead (IRFU120/SiHFU120)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

N-Channel MOSFET

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR120PbF

SiHFR120-E3

IRFR120

DPAK (TO-252)

IRFR120TRPbF^a

SiHFR120T-E3^a

IRFR120TR^a

DPAK (TO-252)

IRFR120TRRPbF^a

SiHFR120TR-E3^a

IRFR120TRR^a

DPAK (TO-252)

IRFR120TRLPbF^a

SiHFR120TL-E3^a

IRFR120TRL^a

IPAK (TO-251)

IRFU120PbF

SiHFU120-E3

IRFU120

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR120

SiHFR120T^a

SiHFR120TR^a

SiHFR120TL^a

SiHFU120

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

7.7

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

4.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

210

7.7

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

I_AR

E_AR

4.2

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

P_D

2.5

dV/dt

5.5

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91266

S-Pending-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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IRFR120TR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STD6NF10T4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low

与IRFR120TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR120TRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR120TRL	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR120TRLPBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR120TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR120TRPBF	VISHAY	获取价格	IRFR120
IRFR120TRR	VISHAY	获取价格	IRFR120
IRFR120TRRPBF	VISHAY	获取价格	IRFR120
IRFR120TRRPBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR120Z	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR120ZPBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET

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