IRFR120TRL

更新时间： 2024-09-28 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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8页	1884K
描述
Power MOSFET

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IRFR120TRL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

IRFR120TRL 数据手册

IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

• Repetitive Avalanche Rated

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.0

RoHS*

COMPLIANT

• Surface Mount (IRFR420/SiHFR420)

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

3.3

• Straight Lead (IRFU420/SiHFU420)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

Q_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effictiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surcace mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR120TRLPbF^a

SiHFR120TL-E3^a

IRFR120TRL^a

IPAK (TO-251)

IRFU420PbF

SiHFU420-E3

IRFU420

IRFR420PbF

SiHFR420-E3

IRFR420

IRFR420TRPbF^a

SiHFR420T-E3^a

IRFR420TR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR420

SiHFR420T^a

SiHFR120TL^a

SiHFU420

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

_C= 25 °C

2.4

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

1.5

Pulsed Drain Current^a

I_DM

8.0

Linear Derating Factor

0.33

0.020

400

2.4

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

I_AR

E_AR

4.2

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

P_D

2.5

dV/dt

3.5

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91275

S-Pending-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR120TRLPBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR120TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR120TRPBF	VISHAY	获取价格	IRFR120
IRFR120TRR	VISHAY	获取价格	IRFR120
IRFR120TRRPBF	VISHAY	获取价格	IRFR120
IRFR120TRRPBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR120Z	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR120ZPBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR120ZTR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120ZTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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