5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFR120NTR
IRFR120NTR PDF预览

IRFR120NTR

更新时间： 2024-01-10 20:58:54
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 152K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFR120NTR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.06其他特性：AVALANCHE RATED, FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：91 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：9.1 A最大漏源导通电阻：0.21 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：39 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：38 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR120NTR 数据手册

 浏览型号IRFR120NTR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFR120NTR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFR120NTR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFR120NTR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFR120NTR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFR120NTR的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 91365B  
IRFR/U120N  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount (IRFR120N)  
l Straight Lead (IRFU120N)  
l Advanced Process Technology  
l Fast Switching  
D
VDSS = 100V  
RDS(on) = 0.21Ω  
l Fully Avalanche Rated  
G
Description  
ID = 9.4A  
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
lowest possible on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient device for use in a wide  
variety of applications.  
The D-PAK is designed for surface mounting using  
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.  
The straight lead version (IRFU series) is for through-  
hole mounting applications. Power dissipation levels  
up to 1.5 watts are possible in typical surface mount  
applications.  
D-PAK  
T O -252AA  
I-PAK  
TO -251AA  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current †  
9.4  
6.6  
38  
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
48  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.32  
± 20  
91  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚†  
Avalanche Current†  
mJ  
A
5.7  
4.8  
5.0  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy†  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
3.1  
Units  
°C/W  
1
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount) **  
Junction-to-Ambient  
50  
RθJA  
110  
www.irf.com  
5/11/98  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与IRFR120NTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR120NTRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120NTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120NTRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120NTRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120NTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) =
IRFR120PBF VISHAY

获取价格

 		IRFR120
IRFR120T_R4941 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120-T1 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120TR VISHAY

获取价格

 		IRFR120

与IRFR120NTR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证